High-mobility wide bandgap amorphous gallium oxide thin-film transistors for NMOS inverters

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标题	High-mobility wide bandgap amorphous gallium oxide thin-film transistors for NMOS inverters 用于NMOS反相器的高迁移率宽带隙非晶氧化镓薄膜晶体管相关领域 NMOS逻辑材料科学氧化镓光电子学薄膜晶体管无定形固体带隙晶体管氧化物宽禁带半导体纳米技术电气工程冶金图层（电子）电压结晶学化学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0159529 AI链接 aip.org escholarship.org escholarship.orgdoi.org
DOI	10.1063/5.0159529 doi
其它	期刊：Applied physics reviews 作者：Yong Zhang; Chi‐Hsin Huang; Kenji Nomura 出版日期：2024-03-01
求助人	hinatsci 在 2025-02-27 11:24:30 发布自日本，悬赏 10 积分
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