Passivation mechanisms of oxygen-vacancy-induced hole traps by Mg acceptor atoms at GaN/SiO2 interface

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标题	Passivation mechanisms of oxygen-vacancy-induced hole traps by Mg acceptor atoms at GaN/SiO2 interface GaN/SiO2界面Mg受体原子对氧空位诱导空穴陷阱的钝化机制相关领域钝化接受者空位缺陷材料科学宽禁带半导体氧气化学物理光电子学原子物理学化学结晶学纳米技术凝聚态物理物理图层（电子）有机化学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0223569
DOI	10.1063/5.0223569 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Shuto Hattori; Atsushi Oshiyama; Kenji Shiraishi 出版日期：2024-10-14
求助人	旁边有堵墙在 2024-10-19 11:06:16 发布自山东，悬赏 10 积分
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