An efficient device model for ferroelectric thin-film transistors

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标题	An efficient device model for ferroelectric thin-film transistors 铁电薄膜晶体管的高效器件模型
网址	https://doi.org/10.1063/5.0225062
DOI	10.1063/5.0225062 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Guoting Cheng; Philip X.-L. Feng; Jing Guo 出版日期：2024
求助人	落寞晓兰在 2024-10-17 13:56:05 发布自浙江，悬赏 10 积分
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