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 Analysis of Nitrogen-Doping Effect on Sub-Gap Density of States in a-IGZO TFTs by TCAD Simulation 用TCAD模拟分析氮掺杂对a-IGZO薄膜晶体管亚能隙态密度的影响
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
兴奋剂
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光电子学
无定形固体
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态密度
可靠性（半导体）
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期刊：Micromachines 作者：Zheng H. Zhu; Wei Cao; Xiaoming Huang; Zheng Shi; Dong Zhou; et al 出版日期：2022-04-14 |
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