| 标题 |
 Growth of high quality GaN layers with AlN buffer on Si(111) substrates 用AlN缓冲液在Si（111）衬底上生长高质量GaN层
相关领域
材料科学
光致发光
化学气相沉积
金属有机气相外延
光电子学
图层（电子）
拉曼光谱
电子迁移率
拉曼散射
响应度
扫描电子显微镜
薄膜
霍尔效应
分析化学（期刊）
外延
光学
电阻率和电导率
纳米技术
光电探测器
化学
复合材料
工程类
物理
电气工程
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：P. Chen; Rong Zhang; Yanyan Zhao; Dongjuan Xi; Bo Shen; et al 出版日期：2001-05-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
嘉心糖
薰硝壤
Emma
彭于彦祖
随机子
YL
梁朝伟
HEIKU
8R60d8
子车茗
shinysparrow
寻道图强
嗯哼
洁净白枫
坚强的广山
iNk
tuanheqi
tianzml0
爱静静
吃不饱星球球长
皖公网安备34019202002308
