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 Forming-less flexible memristor crossbar array for neuromorphic computing applications produced using low-temperature atomic layer deposition 低温原子层沉积用于神经形态计算应用的无成形柔性忆阻器交叉阵列
相关领域
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记忆电阻器
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期刊：Applied materials today 作者：Minjae Kim; Dongeun Kim; Yue Wang; Donghyun Lee; Dong‐Hyeok Lim; et al 出版日期：2024-06-01 |
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