Strong Immunity to Drain-Induced Barrier Lowering in ALD-Grown Preferentially Oriented Indium Gallium Oxide Transistors

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标题	Strong Immunity to Drain-Induced Barrier Lowering in ALD-Grown Preferentially Oriented Indium Gallium Oxide Transistors ALD生长的优先取向铟镓氧化物晶体管对漏极诱导势垒降低的强抗扰度相关领域材料科学薄膜晶体管阈值电压光电子学排水诱导屏障降低晶体管铟氧化物镓纳米技术电气工程电压工程类冶金图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.3c18591
DOI	10.1021/acsami.3c18591 doi
其它	期刊：ACS applied materials & interfaces 作者：Gwang‐Bok Kim; Taikyu Kim; Sang-Weon Bang; Jae Seok Hur; Cheol Hee Choi; et al 出版日期：2024-04-25
求助人	xiaozhang 在 2024-05-27 22:57:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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