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 High‐Performance p‐type 2D FET Based on Monolayer GeC with High Hole Mobility: A DFT‐NEGF Study 基于高空穴迁移率单层GeC的高性能p型2D FET的DFT-NEGF研究
相关领域
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Jialin Yang; Chuyao Chen; Jingwen Zhang; Wenhan Zhou; Hengze Qu; et al 出版日期：2022-06-25 |
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