Tunneling field-effect transistors with two-dimensional BiN as the channel semiconductor

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标题	Tunneling field-effect transistors with two-dimensional BiN as the channel semiconductor 二维BiN沟道半导体隧穿场效应晶体管相关领域量子隧道场效应晶体管半导体晶体管材料科学频道（广播）凝聚态物理半导体器件光电子学工程物理纳米技术物理工程类电气工程量子力学电压图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0191376 AI链接 aip.orgdoi.org
DOI	10.1063/5.0191376 doi
其它	期刊：Applied physics letters 作者：Saichao Yan; Kang Wang; Zhi-Xin Guo; Yu‐Ning Wu; Shiyou Chen 出版日期：2024-04-01
求助人	机智的凡梦在 2024-05-16 10:12:55 发布自陕西，悬赏 10 积分
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