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 Vacancy‐Induced Synaptic Behavior in 2D WS2 Nanosheet–Based Memristor for Low‐Power Neuromorphic Computing 用于低功耗神经形态计算的2D WS2纳米片忆阻器中空位诱导的突触行为
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
纳米片
电阻随机存取存储器
光电子学
计算机科学
纳米技术
电子工程
电气工程
人工神经网络
电压
工程类
人工智能
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期刊：Small 作者：Xiaobing Yan; Qianlong Zhao; Andy Paul Chen; Jianhui Zhao; Zhenyu Zhou; et al 出版日期：2019-05-02 |
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