| 标题 |
 Investigation on the temperature dependence of the HCI effects in the rugged STI-based LDMOS transistor 坚固型STI基LDMOS晶体管中HCI效应的温度依赖性研究
相关领域
LDMOS
材料科学
晶体管
电流（流体）
阈值电压
电压
排水诱导屏障降低
热载流子注入
电场
光电子学
场效应晶体管
电气工程
凝聚态物理
物理
工程类
量子力学
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| 网址 |
AI链接 ieee.org |
| DOI |
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| 其它 |
期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：Stefano Poli; Susanna Reggiani; G. Baccarani; Elena Gnani; A. Gnudi; et al 出版日期：2010-06-06 |
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