The Study of Bit Line to Storage Node Contact Leakage in Advanced DRAM

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标题	[高分] The Study of Bit Line to Storage Node Contact Leakage in Advanced DRAM 先进DRAM中位线到存储节点接触泄漏的研究相关领域德拉姆动态随机存取存储器泄漏（经济）覆盖计算机科学数据保留节点（物理）材料科学电子工程嵌入式系统光电子学工程类计算机硬件半导体存储器操作系统结构工程宏观经济学经济
网址	https://doi.org/10.1109/icet55676.2022.9825242
DOI	10.1109/icet55676.2022.9825242 doi
其它	期刊：2022 IEEE 5th International Conference on Electronics Technology (ICET) 作者：Yan Yu; Zhong‐Ming Li; Jingsi Cui; Zhong Kong; GuoBao Xiong; et al 出版日期：2022-05-13
求助人	十把刀刀在 2024-06-18 16:27:32 发布自安徽，悬赏 50 积分
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