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 Formation and Applications in Electronic Devices of Lattice‐Aligned Gallium Oxynitride Nanolayer on Gallium Nitride 氮化镓上晶格排列氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
相关领域
材料科学
氮化镓
纤锌矿晶体结构
光电子学
外延
宽禁带半导体
纳米技术
镓
半导体
带隙
锌
冶金
图层（电子）
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Junting Chen; Junlei Zhao; Sirui Feng; Li Zhang; Yan Cheng; et al 出版日期：2023-02-09 |
| 求助人 | |
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