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 A Simulation Study of the Effect of Trap Charges and Temperature on Performance of Dual Metal Strip Double Gate TFET 陷阱电荷和温度对双金属条双栅TFET性能影响的模拟研究
相关领域
跨导
材料科学
量子隧道
金属浇口
存水弯（水管）
阈值电压
电容
晶体管
工作职能
电荷（物理）
光电子学
栅氧化层
纳米技术
电压
物理
图层（电子）
量子力学
电极
气象学
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| 其它 |
期刊：Silicon 作者：Korra Nikhil; K. Murali Chandra Babu; Jagritee Talukdar; Ekta Goel 出版日期：2023-09-29 |
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