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标题
Study of the effect of circular p-GaN gate on the DC characteristics of AlGaN/GaN HEMTs
圆形p-GaN栅极对AlGaN/GaN HEMTs直流特性影响的研究
相关领域
光电子学 材料科学
网址
DOI
10.1088/1361-6641/ada97f doi
其它 期刊:Semiconductor Science and Technology
作者:Yanxu Zhu; Yuhan Wang; Dan Luo; Xiaolong Yang; Qian Li; et al
出版日期:2025-01-13
求助人
橙子的远方 在 2025-03-11 10:46:33 发布,悬赏 10 积分
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