标题 |
Gate-Recessed AlGaN/GaN MOSHEMTs with the Maximum Oscillation Frequency Exceeding 120 GHz on Sapphire Substrates
蓝宝石衬底上最大振荡频率超过120 GHz的栅极凹陷AlGaN/GaN MOSHEMT
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期刊:Chinese Physics Letters 作者:Xin Kong; Ke Wei; Guoguo Liu; Xinyu Liu 出版日期:2012-07-01 |
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