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A modification of usual C – V measurement to more precisely characterize the band offsets in a-Si:H/c-Si heterojunctions
改进常规C-V测量以更精确地表征a-Si:H/c-Si异质结中的能带偏移
相关领域
异质结
电导
分析化学(期刊)
电容
材料科学
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化学
光电子学
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物理
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期刊:Results in Physics 作者:Guozheng Nie; Chengmei Zhong; Lan Luo; Ying Xu 出版日期:2015-01-01 |
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