InGaAs/AlGaAs MQWs grown by MBE: Optimizing GaAs insertion layer thickness to enhance interface quality and luminescent property

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标题	InGaAs/AlGaAs MQWs grown by MBE: Optimizing GaAs insertion layer thickness to enhance interface quality and luminescent property MBE生长InGaAs/AlGaAs MQWs：优化GaAs插入层厚度以提高界面质量和发光性能相关领域材料科学光电子学光致发光发光分子束外延量子阱异质结铟图层（电子）砷化铟砷化镓外延光学纳米技术激光器物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108584
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108584 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Z. Gary Yang; Shufang Ma; Yu Shi; Shuai Yuan; Lin Shang; et al 出版日期：2024-05-31
求助人	星辰在 2024-11-29 15:47:39 发布自浙江，悬赏 10 积分
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