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 32.4: Abnormal Turnaround Phenomenon of Threshold Voltage Shifts in Bias‐Stressed a‐Si:H Thin Film Transistor under Extremely High Intensity Illumination 32.4：极高强度照明下偏置应力a-Si：H薄膜晶体管中阈值电压偏移的异常转变现象
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
光电子学
阈值电压
可靠性（半导体）
晶体管
强度（物理）
图层（电子）
电压
电气工程
光学
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工程类
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量子力学
功率（物理）
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期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Chunming liu; Zhixiong Jiang; Hongyuan Xu; Jiping Zhang; Woosung Son 出版日期：2021-08-01 |
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