High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Si-rich LPCVD SiN x gate insulator for high hole mobility

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标题	High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Si-rich LPCVD SiN x gate insulator for high hole mobility 高阈值电压增强模式GaN p-FET高空穴迁移率的富Si LPCVD SiN x栅绝缘体相关领域错配材料科学阈值电压光电子学化学气相沉积电子迁移率化学计量学栅极电介质电介质电压电气工程晶体管场效应晶体管化学有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/44/8/082801
DOI	10.1088/1674-4926/44/8/082801 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Liyang Zhu; Kuangli Chen; Ying Ma; Yong Cai; Chunhua Zhou; et al 出版日期：2023-08-01
求助人	空白的黑在 2024-02-28 10:37:54 发布自美国，悬赏 10 积分
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