| 标题 |
 Controllable Switching between Highly Rectifying Schottky and p–n Junctions in an Ionic MoS2 Device 离子MoS2器件中高整流肖特基结和p-n结之间的可控开关
相关领域
材料科学
肖特基二极管
光电子学
光电流
肖特基势垒
响应度
电接点
半导体
光探测
离子键合
整改
p-n结
电压
光电探测器
电气工程
二极管
离子
物理
量子力学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Ruiheng Chang; Qiao Chen; Wang Shen; Youwei Zhang; Butian Zhang; et al 出版日期：2023-04-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
shinysparrow
彭于彦祖
薰硝壤
zhazd
yufanhui
SinU
rocky15
抱住仙人球
kento
坚强的广山
iNk
pcr163
嗯哼
Yziii
Phosphene
寻道图强
Singularity
22222
asd
皖公网安备34019202002308
