Sticking coefficient and Si/C ratio of silicon carbide growth species on reconstructed 4H− SiC (0001‾) surface by ab-initio calculations

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标题	Sticking coefficient and Si/C ratio of silicon carbide growth species on reconstructed 4H− SiC (0001‾) surface by ab-initio calculations 从头计算重建4H-SiC（0001）表面碳化硅生长物种的粘附系数和Si/C比相关领域粘着系数基质（水族馆）碳化硅硅碳化物材料科学蚀刻（微加工）结晶学纳米技术吸附光电子学化学冶金物理化学生物生态学图层（电子）解吸
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S00422...
DOI	10.1016/j.vacuum.2022.111414 doi
求助人	Ricky 在 2024-09-18 11:13:45 发布自浙江，悬赏 10 积分
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