Analysis of Switching Loss Based on Gate Resistance in a SiC MOSFET Inverter

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标题	Analysis of Switching Loss Based on Gate Resistance in a SiC MOSFET Inverter 基于栅极电阻的SiC MOSFET逆变器开关损耗分析相关领域逆变器 MOSFET 噪音（视频）切换时间电气工程逻辑门门驱动器材料科学电子工程计算机科学电压工程类晶体管图像（数学）人工智能
网址	https://doi.org/10.1109/cencon58932.2023.10369202
DOI	10.1109/cencon58932.2023.10369202 doi
其它	期刊：作者：M. Park; Kyo‐Beum Lee 出版日期：2023-10-23
求助人	沉静野狼在 2024-08-22 16:47:55 发布自江苏，悬赏 10 积分
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