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 A Physics-Based Compact Model for Silicon Cold-Source Transistors 基于物理的硅冷源晶体管紧凑模型
相关领域
晶体管
缩放比例
硅
半导体器件建模
光电子学
半导体
材料科学
工程物理
电子工程
物理
电气工程
工程类
电压
CMOS芯片
几何学
数学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Anirban Kar; Keshari Nandan; Yogesh Singh Chauhan 出版日期：2023-04-01 |
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