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 Demonstration of High Interface Quality AlGaN/GaN MIS-HEMT with Fully Wet Recess and MOCVD Grown AlN Dielectric 具有全湿凹槽和MOCVD生长的AlN电介质的高界面质量AlGaN/GaN MIS-HEMT的演示
相关领域
金属有机气相外延
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
电介质
制作
蚀刻（微加工）
图层（电子）
外延
晶体管
复合材料
电气工程
病理
替代医学
电压
工程类
医学
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期刊：Materials science forum 作者：Jui‐Sheng Wu; Edward Yi Chang 出版日期：2022-03-04 |
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