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标题
SiGe SEG Growth for Buried Channels p-MOS Devices
用于掩埋沟道p-MOS器件的SiGe SEG生长
相关领域
PMOS逻辑 材料科学 图层(电子) 光电子学 外延 沉积(地质) 硅锗 工程物理 纳米技术 电气工程 晶体管 工程类 电压 地质学 古生物学 沉积物
网址
DOI
10.1149/1.3203957 doi
求助人
斯文觅珍 在 2024-11-21 12:47:18 发布自浙江,悬赏 10 积分
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