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标题
Dislocations in 4H-SiC epilayers for power devices: Identification, formation, and regulation
功率器件用4H-SiC外延层中的位错：识别、形成和调节
相关领域
材料科学 鉴定（生物学） 功率（物理） 碳化硅 光电子学 工程物理 功率半导体器件 复合材料 热力学 物理 植物 工程类 生物
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109147
DOI
10.1016/j.mssp.2024.109147 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Yifei Li; Peng‐Xiang Hou; Shuangyuan Pan; Pin Wang; Weiwei Cheng; et al
出版日期：2024-11-26
求助人
NOIR4LU 在 2024-11-29 15:28:20 发布自安徽，悬赏 10 积分
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