First-principles insights into Bi2XO5 (X = Se, Te) monolayers as high-k gate dielectrics for 2D electronics

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标题	First-principles insights into Bi2XO5 (X = Se, Te) monolayers as high-k gate dielectrics for 2D electronics Bi2XO5（X=Se，Te）单层作为二维电子学高k栅极电介质的第一性原理见解
网址	https://doi.org/10.1063/5.0242581
DOI	10.1063/5.0242581 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Huan Liu; Lixiang Rao; Junjie Qi; Gang Tang 出版日期：2025
求助人	raolixiang 在 2025-02-23 21:11:55 发布自河北，悬赏 10 积分
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