The influence of deposition pressure on the physical properties of Ga2O3 films and the high responsivity self-powered DUV photodetector based on n-Ga2O3/CuO/p-GaN heterojunction

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标题	The influence of deposition pressure on the physical properties of Ga2O3 films and the high responsivity self-powered DUV photodetector based on n-Ga2O3/CuO/p-GaN heterojunction 沉积压力对Ga2O3薄膜物理性质的影响及基于n-Ga2O3/CuO/p-GaN异质结的高响应自供电DUV光电探测器相关领域响应度异质结光电探测器材料科学光电子学沉积（地质）沉积物生物古生物学
网址	https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2024.111533
DOI	10.1016/j.optlastec.2024.111533 doi
其它	期刊：Optics & Laser Technology 作者：Xian Zhang; Zhiang Yue; Guojiao Xiang; Jinming Zhang; Enqin Zhao; et al 出版日期：2024-07-30
求助人	222 在 2024-11-05 19:46:33 发布自吉林，悬赏 10 积分
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