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 Gate Voltage- and Bias Voltage-Tunable Staggered-Gap to Broken-Gap Transition Based on WSe2/Ta2NiSe5 Heterostructure for Multimode Optoelectronic Logic Gate 基于WSe2/Ta2NiSe5异质结构的栅压和偏压可调交错带隙到断隙转变的多模光电逻辑栅
相关领域
光电子学
光探测
异质结
材料科学
堆积
光电探测器
物理
核磁共振
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| 其它 |
期刊：ACS Nano 作者：Zhu Tao; Kai Liu; Yao Zhang; Si Meng; Mengfei He; et al 出版日期：2024-04-18 |
| 求助人 | |
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