Magnetism-Induced Band-Edge Shift as the Mechanism for Magnetoconductance in CrPS4 Transistors

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标题	Magnetism-Induced Band-Edge Shift as the Mechanism for Magnetoconductance in CrPS4 Transistors 磁致带边位移作为CrPS4晶体管磁导的机制相关领域凝聚态物理磁场反铁磁性磁性磁性半导体电导磁电阻材料科学电子 GSM演进的增强数据速率联轴节（管道）阈值电压自旋（空气动力学）晶体管电压物理兴奋剂电信量子力学计算机科学冶金热力学
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c02274
DOI	10.1021/acs.nanolett.3c02274 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Fan Wu; Marco Gibertini; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Ignacio Gutiérrez‐Lezama; et al 出版日期：2023-08-23
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