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 High sensitivity Ga2O3 ultraviolet photodetector by one-step thermal oxidation of p-GaN films 一步热氧化p-GaN薄膜制备高灵敏度Ga2O3紫外光探测器
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Peigang Li; Xueqiang Ji; Zuyong Yan; Yan Xu; Chao Lü; et al 出版日期：2023-06-01 |
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