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 Pressure-induced ferroelectric and electronic transitions in two-dimensional ferroelectric semiconductor of NbOCl2 up to 41.7 GPa 高达41.7 GPa的NbOCl2二维铁电半导体中的压力诱导铁电和电子跃迁
相关领域
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光学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：M. Hong; Lidong Dai; Haiying Hu; Xinyu Zhang; Chuang Li 出版日期：2024-03-11 |
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