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 Monolithically and Vertically Integrated LED-on-FET Device Based on a Novel GaN Epitaxial Structure 基于新型GaN外延结构的单片垂直集成LED on-FET器件
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kui Pan; Kaixin Zhang; Liying Deng; Lin Chang; Yang Li; et al 出版日期：2023-12-01 |
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