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Data set for "Substitutional P-type Doping in NbS2-MoS2 Lateral Heterostructures Grown by MOCVD"
“通过MOCVD生长的NbS2-MoS2横向异质结构中的替代P型掺杂”数据集
相关领域
金属有机气相外延
异质结
兴奋剂
材料科学
光电子学
纳米技术
外延
图层(电子)
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期刊:Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research) 作者:Zhenyu Wang; Mukesh Tripathi; Zahra Golsanamlou; Poonam Kumari; Giuseppe Lovarelli; et al 出版日期:2023-02-28 |
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