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Attoampere Level Leakage Current in Chemical Vapor Deposition-Grown Monolayer MoS2 Dynamic Random-Access Memory in Trap-Assisted Tunneling Limit
陷阱辅助隧穿极限下化学气相沉积单层MoS2动态随机存储器的阿安培级漏电流
相关领域
单层
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材料科学
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物理
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期刊:ACS Nano 作者:Jisoo Seok; Jae Eun Seo; Dae Kyu Lee; Joon Young Kwak; Jiwon Chang 出版日期:2025-01-09 |
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