标题 |
Reverse Recovery Enhanced and Single-Event Effects Hardened Power Schottky Source MOSFET With Integrated Retrograde p-Well Schottky Contact Super Barrier Rectifier
具有集成逆行p阱肖特基接触超势垒整流器的反向恢复增强和单事件效应硬化功率肖特基源MOSFET
相关领域
肖特基势垒
MOSFET
材料科学
肖特基二极管
功率MOSFET
光电子学
金属半导体结
整流器(神经网络)
电气工程
工程类
晶体管
电压
计算机科学
二极管
人工神经网络
随机神经网络
机器学习
循环神经网络
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Qisheng Yu; Wensuo Chen; Aohang Zhang; Jiaweiwen Huang 出版日期:2024-03-25 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|