Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry

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标题	Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry 用氯化化学方法填充4H-SiC的外延沟槽相关领域外延沟槽材料科学化学纳米技术光电子学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0210680
DOI	10.1063/5.0210680 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Gerard Colston; Karin Turner; Arne Benjamin Renz; Peter Michael Gammon; Marina Antoniou; et al 出版日期：2024-05-06
求助人	宇宙的中心在 2025-12-16 11:19:12 发布自江苏，悬赏 10 积分
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