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 Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers AlGaN层生长过程中AlN缓冲层N极性反转畴的转变
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期刊：Semiconductors 作者：I. V. Osinnykh; Т. В. Малин; А. С. Кожухов; B. Ya. Ber; D. Yu. Kazancev; et al 出版日期：2022-06-01 |
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