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 Vertical Van Der Waals Epitaxy of p‐MoxRe1‐Xs2 on GaN for Ultrahigh Detectivity Uv–vis–NIR Photodetector GaN上垂直范德华外延p-MoxRe1-xS2超强紫外——可见——近红外光电探测器
相关领域
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材料科学
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光电子学
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兴奋剂
异质结
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光学
物理
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| 其它 |
期刊：Advanced Optical Materials 作者：Zhongwei Jiang; Jie Zhou; Bo Li; Zhengweng Ma; Zheng Huang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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