Lattice defects distribution of H+ implanted 4H-SiC investigated by deep-ultraviolet Raman spectroscopy

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标题	Lattice defects distribution of H+ implanted 4H-SiC investigated by deep-ultraviolet Raman spectroscopy 深紫外拉曼光谱研究H+注入4H-SiC晶格缺陷分布相关领域材料科学拉曼光谱紫外线激光器光谱学光电子学半导体透射电子显微镜光学纳米技术物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1116/6.0003643
DOI	10.1116/6.0003643 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science & technology. A. Vacuum, surfaces, and films 作者：G.W Wang; Wenbo Luo; Dailei Zhu; Yuedong Wang; Yao Shuai; et al 出版日期：2024-05-22
求助人	ZYL 在 2024-07-16 13:36:46 发布自北京，悬赏 10 积分
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