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Controlling Threshold and Resistive Switch Functionalities in Ag‐Incorporated Organometallic Halide Perovskites for Memristive Crossbar Array
用于忆阻交叉阵列的掺银有机金属卤化物钙钛矿的阈值和电阻开关功能的控制
相关领域
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材料科学
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:In Hyuk Im; Seung Ju Kim; Ji Hyun Baek; Kyung Ju Kwak; Tae Hyung Lee; et al 出版日期:2022-12-11 |
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