High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors

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标题	High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors 高迁移率氢化多晶In2O3（In2O3：H）薄膜晶体管相关领域薄膜晶体管材料科学光电子学制作晶体管半导体数码产品微晶氧化物纳米技术电压电气工程图层（电子）冶金医学替代医学工程类病理
网址	https://www.nature.com/articles/s41467-022-28480-9.pdf
DOI	10.1038/s41467-022-28480-9 doi
其它	期刊：Nature Communications 作者：Yusaku Magari; Taiki Kataoka; Wenchang Yeh; Mamoru Furuta 出版日期：2022-02-28
求助人	jie.cr 在 2024-01-03 17:38:24 发布自重庆，悬赏 10 积分
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