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 Enhanced Thermal Boundary Conductance across GaN/SiC Interfaces with AlN Transition Layers 具有AlN过渡层的GaN/SiC界面的热边界导电性增强
相关领域
材料科学
光电子学
图层（电子）
声子
宽禁带半导体
分子动力学
热导率
凝聚态物理
纳米技术
复合材料
物理
化学
计算化学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Ruiyang Li; Kamal Hussain; Michael E. Liao; Karina Huynh; Md Shafkat Bin Hoque; et al 出版日期：2024-02-05 |
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