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标题
H2/N2 Plasma Etching Rate of Carbon Films Deposited by H-Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition
氢辅助等离子体化学气相沉积碳膜的H2/N2等离子体刻蚀速率
相关领域
蚀刻（微加工） 碳膜 化学气相沉积 等离子体刻蚀 碳纤维 材料科学 等离子体 沉积（地质） 干法蚀刻 等离子体增强化学气相沉积 分析化学（期刊） 反应离子刻蚀 薄膜 化学工程 纳米技术 化学 图层（电子） 复合材料 有机化学 古生物学 物理 量子力学 沉积物 复合数 工程类 生物
网址
https://doi.org/10.7567/jjap.52.01ab01
DOI
10.7567/jjap.52.01ab01 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Tatsuya Urakawa; R. Torigoe; Hidefumi Matsuzaki; Daisuke Yamashita; Giichiro Uchida; et al
出版日期：2013-01-01
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冰下之鲸 在 2025-01-10 16:58:23 发布自新加坡，悬赏 10 积分
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