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Investigation of Reverse Recovery Phenomenon for SiC MOSFETs in High-Temperature Applications Publisher: IEEE Cite This PDF
高温应用中SiC MOSFET反向恢复现象的研究出版商：IEEE引用此PDF
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网址
http://dx.doi.org/10.1109/TPEL.2023.3273351
DOI
10.1109/TPEL.2023.3273351 doi
求助人
阳光的夏槐 在 2025-01-09 13:49:07 发布自上海，悬赏 10 积分
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