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 Influence of ion-beam etching by Ar ions with an energy of 200–1000 eV on the roughness and sputtering yield of a single-crystal silicon surface 200~1000 eV Ar离子离子束刻蚀对单晶硅表面粗糙度和溅射产额的影响
相关领域
溅射
材料科学
单晶硅
硅
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抛光
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期刊：Applied Optics 作者：M. S. Mikhailenko; А. Е. Пестов; Н. И. Чхало; М. V. Zorina; A. K. Chernyshev; et al 出版日期：2022-03-28 |
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