Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method

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标题	Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method 表面尺寸和蒸发区形状对PVT法生长SiC单晶的影响相关领域材料科学蒸发曲面（拓扑） Crystal（编程语言）结晶学复合材料几何学化学热力学数学物理计算机科学程序设计语言
网址	https://www.mdpi.com/2073-4352/14/2/118/pdf?version=17061571...
DOI	10.3390/cryst14020118 doi
其它	期刊：Crystals 作者：Yongfeng Zhang; Wen Xu; Nuofu Chen; Fang Zhang; Jikun Chen; et al 出版日期：2024-01-25
求助人	徐锦涛在 2024-12-04 20:31:24 发布自上海，悬赏 10 积分
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