First-principles study on oxidation of Ge and its interface electronic structures

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标题	First-principles study on oxidation of Ge and its interface electronic structures 锗氧化及其界面电子结构的第一性原理研究相关领域悬空债券接口（物质）材料科学锗带隙电子结构价带硅凝聚态物理结晶学化学光电子学计算化学物理复合材料毛细管作用毛细管数
网址	https://doi.org/10.7567/jjap.55.08pa01
DOI	10.7567/jjap.55.08pa01 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Tomoya Ono; Shoichiro Saito; Shigeru Iwase 出版日期：2016-07-04
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