High pressure dry oxidation kinetics of silicon—evidence of a highly stressed SiO2 structure

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标题	High pressure dry oxidation kinetics of silicon—evidence of a highly stressed SiO2 structure 硅的高压干氧化动力学——高应力SiO2结构的证据相关领域硅动力学活化能热氧化材料科学氧气化学单晶硅分析化学（期刊）热力学结晶学物理化学冶金有机化学物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/1.96984
DOI	10.1063/1.96984 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：C. Camelin; G. Demazeau; A. Straboni; J.L. Buévoz 出版日期：1986-05-05
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